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场效应管 电 MOSFET 电流 20V 耐压 1个P沟道 CSD25402Q3AT 76A
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5.83
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芯利来
电流 76A 20V 电 CSD25402Q3AT 耐压 1个P沟道 场效应管
原价
5.83
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5.83
文扬三
93LC76A 93LC76AT 93LC76BT
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4.23
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4.23
国际半导体
电流 76A 200V ITO IRFB4127PBF 耐压 1个N沟道 场效应管
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文扬三
耐压 1个N沟道 场效应管 BUZ76A 电流 650V 220
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2.28
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场效应管 电流 100V 耐压 AUN065N10 DFN 76A 5x6
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60YS 76A 115 60V 耐压 1个N沟道 场效应管 PSMN8R5 电流
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文扬三
电流 76A 60V PDFN5x6 AGM6070A 耐压 1个N沟道 场效应管
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1.19
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文扬三
场效应管 1个N沟道 76A 电流 150V 耐压 IXFP76N15T2
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文扬三
场效应管 1个N沟道 76A 电流 100V 耐压 AUP065N10
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4.36
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文扬三
场效应管 1个N沟道 76A 电流 40V 耐压 WSD4076DN56 DFN
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2.65
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EEPROM MICROWIRE 93LC76A 8KBIT SN存储芯片IC 8SOIC
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场效应管 ITO MOSFET 电流 200V 耐压 1个N沟道 IRFB4127PBF 76A
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场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET IXFP76N15T2 电流 76A 150V
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元霸芯城
1个P沟道 MOSFET 场效应管 DMP4011SPSQ 40V 电流 耐压 76A
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场效应管 PDFN5x6 MOSFET 电流 60V 耐压 1个N沟道 AGM6070A 76A
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场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET AUP065N10 电流 76A 100V
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电流 76A DFN 耐压 MOSFET 5x6 AUN065N10 100V 场效应管
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耐压 220 650V 电流 MOSFET 场效应管 BUZ76A 1个N沟道
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场效应管 MOSFET 电流 150V 耐压 1个N沟道 BSC110N15NS5 76A
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1个P沟道 MOSFET 场效应管 DMP4011SPSQ 40V 电流 耐压 76A
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