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60V 电流 190A 1个N沟道 MOSFET 263 HY3906B 耐压 场效应管
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芯利来
场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET RS100N190S 电流 190A 100V
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2.65
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芯利来
耐压 40V 电流 190A MOSFET 场效应管 RU40191S 1个N沟道
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6.91
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芯利来
场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET HY3906P 电流 190A 60V 220F
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芯利来
场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET GT035N10Q 电流 190A 100V
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芯利来
场效应管 MOSFET 电流 100V 耐压 1个N沟道 CRSS035N10N 190A
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芯利来
场效应管 耐压 1个N沟道 MOSFET JMTE025N04D 电流 190A 40V
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6.66
芯利来
INA190A1IDCKR INA188ID INA188IDRJR
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国际半导体
INA190A2IRSWT INA190A2IDDFT INA190A2IRSWR
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27.34
国际半导体
场效应管 电流 600V 耐压 1个N沟道 AOW190A60C 20A
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文扬三
2307819 原SMBJ190A 1658525 640550
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永恒电子元器件
2307819 原SMBJ190A 1658525 640550
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2.4
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永恒电子元器件
214AB SMC SMCJ190A ESD TVS 静电和浪涌保护
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2.02
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2.02
艾欣玛五
耐压 1个N沟道 场效应管 RU40191S 电流 190A 40V
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文扬三
INA190A3IDCKT INA190A2QDCKRQ1 INA190A3IDCKR
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国际半导体
INA190A1QDCKRQ1 INA190A1IRSWR INA190A1IRSWT
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国际半导体
场效应管 1个N沟道 190A 电流 100V 耐压 GT035N10T
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文扬三
INA190A4IRSWR INA190A4IDDFR INA190A4IDDFT
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国际半导体
电流 190A 40V WSD40190DN56G 耐压 1个N沟道 场效应管
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6.42
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文扬三
INA190A5IDCKR INA190A4IRSWT INA190A4NDDFREP
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国际半导体
INA190A3IRSWR INA190A3IDDFR INA190A3IDDFT
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国际半导体
场效应管 1个N沟道 190A 电流 100V 耐压 GT035N10Q
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文扬三
场效应管 220F 1个N沟道 190A 电流 60V 耐压 HY3906P
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文扬三
电流 190A 100V CRSS035N10N 耐压 1个N沟道 场效应管
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文扬三
场效应管 1个N沟道 190A 电流 100V 耐压 RS100N190T
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4.03
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INA190A1IDDFT INA190A1IDCKT INA190A1IDDFR
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场效应管 1个N沟道 190A 电流 100V 耐压 RS100N190S
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INA190A2IDDFR INA190A2IDCKR INA190A2IDCKT
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场效应管 1个N沟道 190A 电流 100V 耐压 GT035N10M
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耐压 场效应管 电流 IRFS4010TRL7PP 100V 1个N沟道 190A
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